Tel:0755-29581158 18318037988
  • 利仁电器欢迎您
  • 利仁电器欢迎您
  • 利仁电器欢迎您
  • 利仁电器欢迎您
  • 1

  • 2

  • 3

  • 4

您的位置:网站首页 > 电器知识 > 从0到1及早规划布局抢入第三代半导体赛道 正文

从0到1及早规划布局抢入第三代半导体赛道


2022-9-26 23:03:51

  胎梦大全集微网消息,“走进园区”品牌活动启动以来,集微网收到大量来自企业与园区对活动持续举办的期许。在业界的热切期待和千呼万唤中,“走进园区”品牌活动第二站——“泉州芯谷。南安分园区科技行”!正在报名中~~

  随着5G、新能源汽车等产业的发展,对高频、高功率、高压的半导体需求越来越大,以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第二代和第三代化合物半导体迎来发展契机。

  为推动经济转型升级,泉州重点抓集成电路、化合物半导体等产业全链条发展。2016年,泉州做出一项重大部署——建设泉州半导体高新技术产业园区(简称“泉州芯谷”)。

  泉州芯谷作为福建省级半导体高新技术产业园区,以存储器制造和化合物半导体制造为支柱,吸引设计、封装测试、制造设备、关键原材料等上下游产业链配套企业落户泉州,其主要包括晋江、南安、安溪三个分园区。

  泉州芯谷南安分园区是泉州半导体高新技术产业园区核心区,也是目前全国唯一一个直接定位发展“化合物半导体”的高新技术产业园区,重点以化合物半导体为方向,发展化合物半导体制造生产线、光通信器件、微波射频及功率型器件和新型材料等项目,打造国内乃至国际知名的化合物半导体器件生产。

  谋划早,抢跑道。泉州芯谷南安分园区之所以选择化合物半导体作为跑道,是意识到全球的第三代半导体产业都处于起步阶段,如果加速抢跑,有望实现全产业链进入世界先进行列。

  三安光电在泉州芯谷南安分园区设立全资子公司投资集成电路、LED外延和芯片的研发与制造产业和项目,公司名称为泉州三安半导体科技有限公司。

  2017年12月26日,泉州芯谷南安分园区三安半导体项目正式开工建设。该项目总投资333亿元,计划5年内投产、7年内达产,主要包含高端氮化镓、高端砷化镓、大功率氮化镓激光器、光通信器件模组、射频滤波器和微波集成电路、功率型半导体、特种衬底材料和封装产品应用等。

  三安半导体项目是泉州芯谷南安分园区引进的首个龙头项目,今年2月底,福建省发改委公布2020年度省重点项目名单,“三安半导体研发与产业化项目”位列其中。

  三安半导体项目的成功引进有助于填补我国在大功率氮化镓激光器、射频滤波器及功率半导体等领域的空白,解决我国当前III-V族化合物半导体核心材料、器件和应用端的技术分离难题。

  福建富宸科技有限公司是最早一批入驻泉州芯谷南安分园区的企业之一,也是南安分园区的第一家台企。富宸封测项目总投资元,一期建设砷化镓微波通讯封装及测试应用设计生产线,二期建设激光封装模块应用设计生产线。目前,富宸科技微波组件封装及测试全自动生产线已投产。

  福建安芯半导体科技有限公司是泉州芯谷南安分园区引进的首家高科技半导体设备公司,由高新企业新毅东科技有限公司投资成立,产品涉及集成电路、LED、MEMS、显示面板、光伏等黄光设备领域。公司计划未来5年内投资2亿元,投资建设半导体黄光设备生产和研发。今年3月13日,福建安芯半导体一台价值近千万元的光刻机出货,交付杭州某公司用于生产耳温枪。

  龙头企业引领作用呈裂变趋势,园区化合物半导体全产业链体系不断完善,同时也促进产业服务配套企业加速聚集。今年4月7日,泉州芯谷南安分园区迎来了智泽南福咨询服务项目的签约。智泽南福主营半导体建厂与工艺技转业务,团队来自三五族化合物半导体业界和学界。

  为吸引集成电路企业落户,从国家到地方,再到园区层面,在打造产业生态系统、完善人才、产业基金等方面都相应出台了很多具体实施细则。

  2016年,由福建省、泉州市、晋江市联合国家集成电路产业大基金等共同设立的福建省安芯产业投资基金正式成立。基金目标规模500亿元,首期出资规模75.1亿元,主要投向III-V族化合物集成电路产业群以及其他集成电路产业链为主的半导体领域。

  2018年6月,泉州市发布《泉州市推进电子信息产业重大项目行动方案(2018—2020年)》提出,未来三年,泉州电子信息产业主要依托半导体高新技术产业园区(泉州芯谷),聚焦集成电路、化合物半导体、光电、智能终端等四大领域。

  2020年8月,福建泉州市发改委下发《泉州市新材料产业六大重点领域发展实施方案》指出,在半导体材料领域中,将依托三安半导体、矽品电子、中科光芯等龙头企业,构建化合物半导体完整产业链。

  南安分园区也在持续落实《南安市人民关于促进半导体产业发展的实施意见》(简称《意见》),重点支持和鼓励化合物半导体设计、制造、封测、装备、材料以及应用终端、创新服务平台等业态的企业、项目、机构和人才入驻。

  《意见》指出,生产设备购置补贴最高限额5000万元。针对总投资超10亿元的项目(化合物半导体生产项目总投资超5亿元)以及首家入驻园区的不同类别化合物半导体项目采取“一企一议”方式,从资金、金融、土地、研发等方面予以重点支持。

  人才是产业发展必不可少的一个环节。在人才方面,园区设立高层次人才,对一些高端人才给予补助。另外,园区还规划建设人才房,完善各项功能配套和公共服务设施,吸引高端人才在南安创业、安居、圆梦。

  相信未来南安市通过树立标杆、营造,引龙头,持续招核心、补链条,不断吸引优质资源强链加盟,立足园区管理升级,政企合力,加上以化合物半导体龙头三安光电为首的新兴产业链拉动,定会持续更多产业链协同发展的新增市场空间。

  新增市场空间意味着有大量新增机会和经济空间,不管是企业方、投资机构、科研院校、兄弟园区,何不及早规划布局抢入市场。或许您距离抢驻新增市场空间只差这趟泉州芯谷。南安分园区科技行。

  集微网作为覆盖半导体及智能终端全产业链的综合服务平台,深度融入产业发展,了解企业所需。届时集微网将带领一支30人左右规模的企业代表团赴泉州芯谷南安分园区参观考察,对话园区管委会主任,了解当地产业生态、园区配套、扶持政策;参观园区代表企业,交流创新经验、共探产业趋势。

  届时,参访代表团将走进三安半导体项目,从三安半导体项目签约到开工、投产进程中,感受泉州芯谷南安分园区化合物产业的南安时间和南安经验。

  如果您是企业方,且正在为公司/项目寻找落地机会、为拓宽升级空间寻找下个据点,不妨加入到泉州芯谷南安分园区科技行,通过深度走访了解当地产业动态,感受园区配套服务和地方科创支持力度,也许会为您的下一步决策提供新思路。

  如果您是投资机构、科研院校、兄弟园区,也期待您加入行列,从当地产业发展动态中,寻找投资、合作机会以及创新研发契机。

  文章出处:【微信号:gh_eb0fee55925b,微信号:半导体投资联盟】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

  CISSOID、NAC和Advanced Conversion三强联手开发 高功率密度碳化硅(SiC)逆变器

  比利时蒙-圣吉贝尔/美国Bare–2022年6月23日– 高温半导体和功率模块领域的领导者CISSO....

  近日,广东芯聚能半导体有限公司(AccoPower)向博世汽车电子事业部半导体业务单元发送了碳化硅芯....

  近日,广东芯聚能半导体有限公司(AccoPower)向博世汽车电子事业部半导体业务单元发送了碳化硅芯....

  碳化硅MOSFETs进入量产阶段 碳化硅(SiC)功率器件提供更高的开关效率,非常适合高温和中高压应....

  超高压 SiC N 沟道 IGBT 器件元胞的基本结构如图 1 所示。N+ 区域定义为源区,相应的电....

  作者:富昌电子 星空   校稿:富昌电子 萧峰   富昌电子(Future Electronics)....

  新一代碳化硅模块采用增强型CoolSiC™ MOSFET(M1H),首发型号为EasyPACK™和....

  新能源汽车行业的发展与进步,提升新能源汽车续航里程成为了行业发展的主要任务之一,在动力电池能量密度不....

  寻找理想的体内发光生物标志物是一个巨大的挑战,因为需要满足严格的标准:生物标志物应该(I)无毒和生物....

  6月7日,国内第三代半导体碳化硅功率器件头部企业——基本半导体在公司成立六周年之际宣布完成C2轮融资....

  电子发烧友网报道(文/黄山明)6月1日零时一过,沉寂了两个月之久的上海重新启动,交通恢复正常,门店重....

  半导体材料市场空间广阔,制造材料销售额占比不断提高。全球半导体材料销售额规模不断上升,2015 年至....

  随着制备技术的进步,碳化硅(SiC)器件与模块,在需求的不断拉动下,成本逐年降低, 相关产品....

  电子发烧友网报道(文/梁浩斌)目前碳化硅在电动汽车上的应用如火如荼,今年以来,可以看到包括蔚来ET7....

  第二项关键测试是短路耐受时间(SCWT),或者说轨到轨短路条件下设备发生故障前的极长耐受时间。测试结....

  移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:Q....

  IC效率高达98.3%!业界首款集成1700V SiC MOSFET!PI新款氮化镓IC和碳化硅器件有何过人之处?

  (电子发烧友原创  文/章鹰)近日,美国Power Integrations公布了截至2022年3月....

  国内一家企业董事长给我打过这样一个比方:全球芯片市场好比一个大剧院,那些为数不多的国际公司穿着西装,....

  领先于智能电源和智能技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),在PCIM Eur....

  谈到存内计算,大部分人的第一印象就是超低功耗和大算力。存内计算技术打破了冯诺依曼架构的,冲破了内....

  近日中科院物理研究所在官网发文表示,科研人员通过优化生长工艺,进一步解决了多型相变问题,持续改善晶体....

  中科院成功制备8英寸碳化硅衬底   近日中科院物理研究所在官网发文表示,科研人员通过优化生长工艺,进....

  耐温更高:可以广泛地应用于温度超过600 ℃的高温工况下,而 Si 基器件在 600 ℃左右时,由于....

  中国,2022 年 5 月 6日 ——设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业Soitec ....

  位于美国纽约州的新工厂扩大 Wolfspeed 制造产能,满足从汽车到工业等诸多应用对于 SiC 器....

  在物能方面,AIN比碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)具有更小的损耗和更高的耐压,因此可以形成高....

  11.5开关模式电源的电力电子学第11章碳化硅器件在电力系统中的应用《碳化硅技术基本原理——生长、表....

  11.6碳化硅和硅功率器件的性能比较第11章碳化硅器件在电力系统中的应用《碳化硅技术基本原理——生长....

  11.4.1光伏电源逆变器11.4电力电子学与可再生能源第11章碳化硅器件在电力系统中的应用《碳化硅....

  11.3.2直流电动机驱动11.3电动机驱动的电力电子学第11章碳化硅器件在电力系统中的应用《碳化硅....

  11.3.5 混合动力和纯电动汽车的电动机驱动∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  11.3.5混合动力和纯电动汽车的电动机驱动11.3电动机驱动的电力电子学第11章碳化硅器件在电力系....

  电子发烧友网报道(文/莫婷婷)近期,芯片短缺带来的影响传导到新能源汽车、智能手机等终端市场,这其中对....

  近日,东莞松山湖管委会公布了《东莞市生态园2022年度土地征收成片开发方案》,内容显示拟6.31....

  解决办法是将碳和硅这两种储量丰富的元素以1:1的比例结合在一起,制成一种叫碳化硅(SiC)的半导体。....

  碳化硅(SiC)在设计大功率电子器件方面优于传统硅,开发者们对SiC材料的物理特性还有性能有较多的认....

  在贸易与疫情依旧存在不稳定的因素下,2022年国内半导体产业发展的机遇与挑战并存,国内半导体企业....

  同时,结合浸淫多年的多管并联技术,特斯拉可以在其电动汽车驱动系统中,按照不同的功率等级选择不同数量的....

  与普通硅相比,碳化硅可以承受更高的电压,因此,碳化硅半导体中的电源系统需要更少的开关,从而提供了....

  碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处,但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展....

  未来两年高端化是整车厂主战场,军备竞赛。补能时间是电动车面临的核心短板之一,升级800V结构有利....

  尊敬的参展商、观众及合作单位: 鉴于当前国内新冠疫情最新发展和防控形势复杂严峻,根据“疫情防控....

  随着我们进入由物联网 (IoT)、大数据和人工智能 (AI) 驱动的新计算时代,对更节能芯片的需求不....

  氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿....

  几十年来,硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发....

  许多基于硅的设计在提高效率、降低系统成本和应用创新方面已经达到极限。虽然高压碳化硅为实现这些目标提供....

  高效率当然是一个优点,但有时“高”的说法并不准确,例如:家用电子设备散发出“较高”的热量,可以减轻您....

  本文研究了用两步金属辅助化学蚀刻(MACE)工艺制备的黑硅(b-Si)的表面形态学和光学性能,研究了....

  一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底;通过在基底上一层材料来形成非金属掩....

  传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN) 伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 最高结温175°C 正温度系数 易于平行 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 正温度系数 易于并行 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 雪崩额定200 mJ 无逆向恢复/无正向恢复 易于并行 高浪涌电流容量 正温度系数 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 雪崩额定200 mJ 高浪涌电流容量 正温度系数 易于平行 无逆向恢复/无正向恢复 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...

  碳化硅的颜色,者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等色,少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光...

  硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来...

  ` 一、硅肖特基二极管的特点 硅肖特基二极管早已有之。它是一种金属与半导体硅接触的肖特基二极管,由于它的这种...

  碳化硅(SiC)是比较新的半导体材料。一开始,我们先来了解一下它的物理特性和特征。 SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(S...

  亲爱的电子发烧友小伙伴们! 罗姆作为 SiC 功率元器件的领先企业,自上世纪 90 年代起便着手于 SiC 功率元器件的量产化...

  

上一篇:三相直流电焊机募投项目可行性研究报告
下一篇:没有资料

相关阅读: